Discuss, Learn and be Happy דיון בשאלות

help brightness_4 brightness_7 format_textdirection_r_to_l format_textdirection_l_to_r

מה תפקידם שך I/O?

1
done
done
by
מיין לפי
by Eden Palensia
Eden Palensia 1 נקודות · לפני חודש
מוניטין: 46
לא מצאתי שכתוב משהו על ESD במצגות אז אפשר להשתמש בזה: (ESD - ElectroStatic Discharge) https://en.wikipedia.org/wiki/Electrostatic_discharge ואם הבנתי נכון הכוונה להגנה מפני פריקה של חשמל סטטי שעלולה לפגוע בצ'יפ.
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
ELECROMIGRATION - הובלת חומר הנגרם כתוצאה מהתנועה ההדרגתית של יונים במוליך עקב העברת המומנטים בין הולכת אלקטרונים לאטומי מתכת מפוזרים (לפי גוגל )
by

איזה זיכרון הוא בלתי נדיף

1
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 6: Memory Design page:4/99 ROM-Non Volatile SRAM/DRAM - Volatile NVRWM(Flash) - Non Volatile
by

סמנו את כל התשובות הנכונות

1
done
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
FOX -Field Oxide LOCOS - LOCal Oxidation of Silicon STI -Shallow Trench Isolation Lecture 2:Process and Layout Page 10/64 The LOCOS Process has two problems: » Bird’s Beak makes it hard to make transistors close to each other. » A parasitic MOSFET can turn on underneath the FOX. Solution: Shallow Trench Isolation (STI) and Field Implants
by

איך אפשר לשפר Non-Recurrent Costs

1
done
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
 NRE (non-recurrent engineering) costs » design time and effort, mask generation » one-time cost factor
by

איך אפשר להוזיל Recurrent Costs

1
done
done
by
מיין לפי
by Ady Zafri
Ady Zafri -5 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
יש שתי שאלות כאלה אבל עם תשובות שונות יכול להיות? (בשנייה זה להשתמש בטכנולוגיה ישנה ולקצר את זמן הפיתוח??)
by
by Adva Sharoni
Adva Sharoni 6 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
לא, השניה מדברת על non recurrent שזה עלות חד פעמית בייצור הצ'יפ
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Recurrent costs » silicon processing, packaging, test » proportional to volume » proportional to chip area
by

מה עומד בחוק מור (גידול או הקטנה מונוטונית עד אקספוננציאלית) (עד 28nm)

1
done
done
done
mood
הגדלת הWAFER הייתה גם אופציה אבל היא לא נכונה ואין לי אופציה לעוד תשובה
by
מיין לפי
by Or Berebi
Or Berebi 2 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 10
2019 סמסטר ב: כשטימור נשאל לנושא במודל, הוא לא ציין כי הגדלת כמות זכרון על צ'יפ עומדת בחוק מור
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 4:Technology Scaling page 2/31 graphs: Die Size Growth Evolution in Memory Complexity number of components on a chip Cost per Transistor Scaling
by

סמנו את כל התשובות הנכונות

1
done
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
YIELD - אחוז הצ׳יפים הטובים מתוך כל הצ׳יפים הנמצאים על הWAFER( נראה כמו תקליט ) DIE - הריבועים הקטנים על הWAFER שעליהם עושים את הטרנזיסטורים האחוז של הצ׳יפים הטובים לשימוש גדל אם נגדיל את הWAFER שלנו כי אז יכנסו יותר ריבועים אותו דבר אם נקטין את הריבועים שלנו והWAFER ישאר אותו גודל. Lecture 1: Introduction Page 63/69
by

מתי נוצר Antenna Effect

1
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 1 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 2:Process and Layout Page 24/64  Charge is built up on interconnect layers during deposition.  If enough charge is created, this can cause a high voltage to breakdown the thin gates
by

סמנו את כל התשובות הנכונות

0.83
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3: VT*-page 20/85 Alpha -page 21/85 BSIM-page 22/85 The main model used by simulators today is the BSIM4 model. This model uses hundreds of parameters to achieve a good fit.
by

סמנו את כל התשובות הנכונות

1
done
done
by
מיין לפי
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 55
הייתה במבחן שאלה בסגנון רק על locos ןsti עם מוספט פרזיטי
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 2:Process and Layout page 40/64 Thyristors created by parasitic BJT transistors can turn on and short VDD and GND To eliminate some latchup, use lots of well/substrate contacts.
by