Discuss, Learn and be Happy דיון בשאלות

help brightness_4 brightness_7 format_textdirection_r_to_l format_textdirection_l_to_r

סמן את המשפטים הנכונים ביחס למתח הסף Vt

1
done
done
done
done
by
מיין לפי
by Amit Bernstein
Amit Bernstein 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
אני מניח ש channel depletion = channel depth (ככה הוא קרא לזה בהרצאה) שווה לשנות את זה
by
by Eitan Vaida
Eitan Vaida 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
איך HOT CARRIER מעלה?, זה לא תלוי בסוג המטען (אלקטרונים/חורים)?
by
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy 2 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
שתי התופעות יחד גם הpolysilicon depletion וגם channel DEpth גורמות לעלייה של הtox האפקטיבי ועל כן להקטנת Cox ועל כן להגדלת VT(זה לא קשור למה ששאלת איתן)
by
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
איתן ממה שראיתי שרשום בסיכום של ההרצאות של אדי, בPMOS זה מקטין את VT ובNMOS זה מגדיל את VT.
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3 DIBL-Drain Induced Barrier Lowering In short channels, the barrier of the channel is essentially lowered Page 32/85 RSCE- Reverse Short Channel Effect VT actually rises at channel lengths a bit higher than minimum... Page 34/85 Roll Off (Short Channel Effect) VT is reduced. Page 31/85 Hot Carrier Effects increase the threshold voltage. Page 30/85 (הנחות שלי -לא בהכרח נכונות) channel deplation כאשר נוצר איזור מחסור בתעלה זה בעיקבות מטען שנמשך לכיוון השער. המטען הזה יוצר קיבול Cdep ככל שהמטען יותר גדול כך הקיבול גדל מה שמגדיל לי את מתח הסף. Page 29/85 poly depth לפי ההסברים פה אם העומק משפיע על tox כלומר מגדיל אותו, אז קיבול Cox קטן, מה שמגדיל לי את מתח הסף שוב לפי Page 29/85
by

אם נגדיל את Vgs-Vt על מה זה ישפיע ואיך(Vgs<VT)

1
done
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 1 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3 עבור Vgs<Vt מוגדר Ids = lsub. בשביל להגדיל את הביטוי השלילי Vgs-Vt , נרצה להגדיל את Vgs . כלומר אנחנו מגדילים את מתח השער,מה שיגרום לזרם בטרנזיסטור (כל עוד Vgs<Vt יקרא זרם זליגה) לגדול. Page 39/85
by

אם נעלה את הטמפרטורה, איזה מהמשפטים נכון?

1
done
done
done
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3: VT decreases by as much as -3mV/°C Page 47/85 subthreshold leakage rises exponentially with temperature Page 46/85 mobility decreases Page 47/85 Diode Leakage JS doubles for every 9°C page 50/85
by

איזה תופעת מסדר שני LDD משפר?

1
done
done
by
מיין לפי
by Nitzan Tzahar
Nitzan Tzahar 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 70
אני חושב שיש פה טעות, במצגות של תימור יש בסוף רשימה של secondary effects, שם מופיע hot carriers, וsurface scattering אבל לא punchthrough. כן DLL פותר את punchthrough אבל שאלו פה על secondary effects
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3 Problem: Serial Resistance Solution: Salicide Page 59/85 Problem: Hot Carrier Effects Solution: Lightly Doped Drains (LDD Page 60/85 Problem: Mobility Degradation (Surface Scattering) Solution: » Strained Silicon » Miller Index » Different Materials Page 56/85 Problem :Punchthrough Currents Solution: » Halo Implants » LDD » Retrograde Doping » SOI Page 69/85 Problem: Latch Up Solution: » Body Taps. » SOI- Silicon on Insulator 71/85
by

למה נרצה להקטין את tox?

0.83
done
done
by
מיין לפי
by Amit Bernstein
Amit Bernstein 11 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
כדי לשפר הספק ממוצע כחלק מscaling לכל הטרנזיסטור - זה לא נכון
by
by shirley lansky
shirley lansky 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 15
תוקן
by
by Shachar Mor
Shachar Mor 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 110
לפי תימור נראה לי שהtpd משתפר
by
by אליהו אביטן
אליהו אביטן 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
הtpd משתפר אבל לא נראלי שזה חלק מהSCALING
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
tox קטן גורר Cox גדל (לפי הנוסחה פה למטה) Cox גדל גורר Vt גדל (Lecture3: Page 26/85) Vt גדל גורר זרם זליגה קטן (Lecture3: Page 40/85) תופעת rolloff מקטינה את Vt אך מנגד Vt גדל מסיבות אחרות Lecture 4:Technology Scaling Page 22/31 tox קטן >> Coxגדל >> Cgגדל >> tpd גדל/Pav גדל/PD גדל Cox=e ox / tox Cg = Cox*L*W tpd=Ron*Cg Pav = f*Cg*Vdd^2 PD=Pav/A
by

IR DROP- מה ההשפעות שלו?

0.83
mood
done
by
מיין לפי
by Amit Bernstein
Amit Bernstein 4 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
מההרצאה: This is known as IR Drop. This causes both noise, as well as lower speed and noise margins. לדעתי זמנים נמוכים יותר זה לא נכון. אם כבר זמנים ארוכים יותר בגלל lower speed
by
by Yotam Schultz
Yotam Schultz 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
קיבלתי. שונה
by

למה SNM-Read קטן יותר מ SNM-HOLD ב-SRAM?

1
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 6:Memory Design Page 37+39/99 בHOLD יש לנו מלחמה בין טרנזיסטור קטן שמושך למעלה לבין טרנזיסטור גדול שמושך למטה לכן במקום נחש סימטרי שיש באינוורטר רגיל הגרף יצנח מוקדם יותר ולאחר שרשור של שני הטרנזיסטורים נקבל את הגרף הנזכר בעמוד הנל . בREAD מכניסים משני הצדדים vdd, במצב הזה יש שני טרנזיסטורים בינוני וקטן שמושכים למעלה וטרנזיסטור גדול שמושך למטה. הטרנזיסטור הבינוני במצב READ תמיד פתוח ובעצם מונע מ PDN להביא את הVout להיות אפס חזק.
by

איזה תופעות מונע/משפר SOI (Silicon on Insulator)

1
done
done
done
done
mood
done
נערך לפני חודש
by
מיין לפי
by Yuval Peretz
Yuval Peretz 6 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
למה diode leakage לא נכון? לדעתי הזרם הזה אמור להיות קטן יותר בגלל שהמצע הוא מבודד
by
by David Isakov
David Isakov 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
אני חושב שגם הGIDL לא אמור להיות נכון
by
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy 2 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
לגבי הזרם זליגה של הדיודה, זרם זליגה אחורי (מהסיכום של אדי) מתקיים בכל שטח הפנים של הדיודת PN והרי בכך ששמנו SOI אנו מקטינים משמעותית את שטח הפנים של הצומת הזו, ולכן לפי דעתי SOI באמת מקטין מאוד גם את הdiode leakage.
by
by Nir Gottfried
Nir Gottfried 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 15
אני חושב ש-GIDL אמור להיות נכון, ה-SOI חוסם מעבר זרם לגוף על ידי האוקסיד, ןה-GIDL יוצר זרם בין האוקסיד לגוף ולכן ה-SOI מונע את ה-GIDL
by
by Nir Gottfried
Nir Gottfried 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 15
מה שרשמתי למעלה לא נכון, נצאתי מאמר שאומר ש-SOI מגדיל GIDL
by
by Or Berebi
Or Berebi 6 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 10
2019 סימסטר ב: טימור כתב במודל שלא קיימת תופעת diode leakage בכלל ב SOI כי אין דיודות. אז נראלי שזה אומר ש SOI מונע diode leakage, לכן זו צריכה להיות תשובה שמסמנים
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3 Page 64/85 SOI solves : DIBL/ROLL OFF Body Effect Punchthrough Latch up subthrhold leakage (page61 diode leakage (page 50
by

מה לא מקיים את חוק מור

1
done
done
done
done
done
done
נערך לפני חודש
by
מיין לפי
by Amit Bernstein
Amit Bernstein 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
גודל הdie לא מקיים את חוק מור
by
by Yuval Peretz
Yuval Peretz 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
מה בנוגע לעומק הדיפוזיות ומחיר הdie? לפי הקובץ שחזורים נראה שגם הם לא מקיימים את חוק מור.
by
by Sahar Borafker
Sahar Borafker 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
יש שאלה כזו שבה רוחב התעלה לא מקיים את מור
by
by Slava Salnikov
Slava Salnikov 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 40
מחיר DIE כן מקיים חוק מור לפי הקובץ שאלות תשובות של רוברט שיש בפייסבוק (טרנזיסטור בודד נהיה זול יותר לכן אפשר למכור אותו DIE בזול יותר/ לדחוף יותר טרנזיסטורים לאותו גודל DIE)
by
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 55
שאלתי את רוברט, מחיר הdie בוודאות מקיים את חוק מור
by

כאשר נעשה scaling עם Vdd קבוע – מה נשפר ומה נפסיד

1
done
נערך לפני חודש
by
מיין לפי
by Dor Livne
Dor Livne 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 370
ג מוכל בד'.....
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 4:Technology Scaling Page:22/31
by