Discuss, Learn and be Happy דיון בשאלות

help brightness_4 brightness_7 format_textdirection_r_to_l format_textdirection_l_to_r

למה להשתמש בלוגיקה סינכרונית?

1
done
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 7: Designing Sequential Logic Circuits page 14/89 All data paths are built using a pipeline of some sort, either to eliminate races or to increase throughput(תפוקה)
by

סמנו את כל התשובות הנכונות:

1
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
DIBL-Drain Induced Barrier Lowering Lecture 3 page 32/85 In short channels, the barrier of the channel is essentially lowered, as the drain causes the energy band to drop closer to the source.
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3 DIBL- Drain Induced Barrier Lowering depended on phi(t) =KT/q page 45/85 GIDL - Gate Induced Drain Lowering ???? page 49/85 - Subthreshold current temperature dependent page 46/85 Gate Leakage Non-dependent on temperature page 48/85 Diode Leakage Js doubles for every 9°C page 50/85 Punchthrough ??? page 51/85 מסקנה : זרמי דיפוזיה מושפעים מטמפ׳ בעוד שזרמי סחיפה לא זרם דיפוזיה - מעבר אלקטרונים בעקבות גרדיאנט ריכוזים זרם סחיפה - מעבר אלקטרונים בעקבות שדה חשמלי
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
טעות בשאלה סורי
by

מה משפר תופעת Punchthrough?

1
done
done
done
by
מיין לפי
by Amit Bernstein
Amit Bernstein 6 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
שקופית 74 בהרצאה על התופעות של הטרנזיסטור: LDD, Implants, Retrograde Doping הם פתרונות ל punchthrough
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3 page 69/85 Punch-thorough - Drain and Source depletion regions “connect” to each other deep underneath the channel. solutions: Halo Implants-p+ implants suppress the source/drain depletion regions. page 75 LDD- Lightly Doped Drains Retrograde Doping SOI-Silicon-On-Insulator page 64
by

מה ניתן לעשות אם גילינו לאחר ייצור הצ'יפ ש T< tcq + tlogic+ tsu

1
done
done
by
מיין לפי
by Nir Gottfried
Nir Gottfried -1 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 15
למה להקטין את תדר השעון?
by
by Amit Biran
Amit Biran -1 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
במה להגדיל את Vdd יעזור לי?
by
by Omer Bonen
Omer Bonen 5 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 30
ברגע שתגדיל את VDD ה-TPD של כל רכיב יקטן. למדנו ש: t_su= 3I+T ולכן ככה תקטין אותו.. באותו אופן תקטין את t_cq=T_3+I_6 ואז אולי תצליח לעמוד בזמן מחזור. להקטין את תדר השעון זה להגדיל את זמן המחזור
by

סמנו את כל התשובות הנכונות:

1
done
by
מיין לפי
by Nitzan Tzahar
Nitzan Tzahar 1 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 70
התשובה הנכונה אומרת שfull custom design משפר ביצועים אבל התשובה שfull custom design מבטיח ביצועים טובים יותר מstandart cell לא נכונה. זה לא נוגד אחד את השני?
by

איזה זרם זליגה אינו מושפע מטמפרטורה

1
done
sentiment_very_satisfied
by
מיין לפי
by Amit Bernstein
Amit Bernstein 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
למה punchthrough מושפע מטמפ'?
by
by Yotam Schultz
Yotam Schultz 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 1
לפי השחזור רוברט אמר שהזרם PUNCH גדל עם הטמפ. ומשהו על שכבות המחסור שגם מושפעות מהטמפ שמשפיע על הPUNCH
by
by Amit Bernstein
Amit Bernstein 0 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
כן זה נכון, הוא מושפע כי רוחב המחסור מושפע מטמפ'
by
by Dor Livne
Dor Livne 3 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 370
זרמים שעוברים בgate לא מושפעים מהטמפרטורה
by
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 3 DIBL- Drain Induced Barrier Lowering depended on phi(t) =KT/q page 45/85 GIDL - Gate Induced Drain Lowering ???? page 49/85 - Subthreshold current temperature dependent page 46/85 Gate Leakage Non-dependent on temperature page 48/85 Diode Leakage Js doubles for every 9°C page 50/85 Punchthrough ??? page 51/85 מסקנה : זרמי דיפוזיה מושפעים מטמפ׳ בעוד שזרמי סחיפה לא זרם דיפוזיה - מעבר אלקטרונים בעקבות גרדיאנט ריכוזים זרם סחיפה - מעבר אלקטרונים בעקבות שדה חשמלי
by

איזה זכרון הוא בלתי נדיף? NON VOLATILE

1
done
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 6: Memory Design page 4/99 DRAM - VOLATILE SRAM-VOLATILE ROM-NON VOLATILE FLASH-NON VOLATILE
by

לצורך מימוש תא זיכרון SRAM 6 איזה מהביטויים הבאים נכון?

1
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
Lecture 6: Memory Design page 30/99 KPDN>Kaccess>KPUN
by

רוצים לממש תא זכרון של 1 קילו בייט ע"י שני בלוקים זהים (חצי קילו בייט לכל בלוק). בכל שורה יש 2 מילים של 32 ביט כל אחת. כמה שורות יהיו בכל בלוק כזה?

1
done
by
מיין לפי
by Johnny Dekel
Johnny Dekel 0 נקודות · לפני שבוע
מוניטין: 36
2 בלוקים זהים מייצגים קילו בייט זיכרון - 8000 ביט (2 בחזקת 13 =8192 ביט) כל בלוק 4000 ביט (2 בחזקת 12 = 4096 ביט) כל שורה בבלוק יש 64 ביט כלומר בשביל לייצג בלוק עם 4096 ביט צריך 64 שורות .
by

מה מיוצר בתהליך Self aligned

1
done
done
by
מיין לפי
by Amit Bernstein
Amit Bernstein 3 נקודות · יותר מ-6 חודשים
מוניטין: 105
"ניתן לייצר את הדיפוזיות בצורה שהשער משמש כמחסום עבור קרן האלקטרונים כך שהדיפוזיות נבנות בצורה סימטרית סביבו. כלומר, הדיפוזיות הן self-aligned." הסבר של רוברט. גם דיפוזיות הן self aligned
by