search
by שני ויצחקי שגיא
שני ויצחקי שגיא
כדי ליצור "שכבות", צריך 2 דברים לפחות. אז כל התשובות שיש בהן 2 מילים.
לפני 7 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by shirley lansky
shirley lansky
תוקן
לפני 9 חודשים
VLSI
VLSI
0
by יוסי בן נעים
יוסי בן נעים
S=sun=120 F=freeze=0
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
שאלתי את רוברט, מחיר הdie בוודאות מקיים את חוק מור
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Nir Gottfried
Nir Gottfried
למה להקטין את תדר השעון?
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Nir Gottfried
Nir Gottfried
מה שרשמתי למעלה לא נכון, נצאתי מאמר שאומר ש-SOI מגדיל GIDL
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Nir Gottfried
Nir Gottfried
אני חושב ש-GIDL אמור להיות נכון, ה-SOI חוסם מעבר זרם לגוף על ידי האוקסיד, ןה-GIDL יוצר זרם בין האוקסיד לגוף ולכן ה-SOI מונע את ה-GIDL
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
אני לא אשכח את התשובה הזאת יותר לעולם!
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
הייתה במבחן שאלה בסגנון רק על locos ןsti עם מוספט פרזיטי
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Eitan Vaida
Eitan Vaida
מקובץ לומד כל היום בבית, מפולג מפלג את הזמן שלו וחושב שיהיה טוב ואלמור הכי אופטימי כי הוא נרשם "אל מור" פרץ וחושב שהוא יעבור.
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
Current flows from the power source through a non-zero resistance, causing a voltage drop.  This is known as IR Drop. This causes both noise, as well as lower speed and noise margins זה מהעמודים האחרונים של ההרצאה האחרונה, וקבלי צימוד קשור לIR איכשהו
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Sali Haguli
Sali Haguli
בHOLD הבעיה לא אמורה להיות רק אם המידע מגיע מהר? ואז צריך לבדוק רק את FF עם 0 מעלות?
לפני 10 חודשים
VLSI
VLSI
0
by שני ויצחקי שגיא
שני ויצחקי שגיא
רכיב מגיע למעגל, מתעצבן ושואל "מה?! לא קר כאן?!" (ראשי תיבות- MLCC).
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
2
by שני ויצחקי שגיא
שני ויצחקי שגיא
כל מה שיש בו את האות ל'.
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
מויקיפדיה.. על הפולימיר ועל הacid "אלקטרוליט הוא כל חומר המכיל יונים חופשיים ופועל כמדיום מוליך חשמלי. בדרך כלל אלקטרוליטים הם יונים בתמיסה, ולכן ידועים גם בכינוי "תמיסות יוניות"; למרות זאת, קיימים גם אלקטרוליטים מותכים, ואלקטרוליטים מוצקים, כמו פולימרים מסוימים. אלקטרוליטים הם בדרך כלל תמיסות של חומצה, בסיס או מלח."
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
למה קירור לא? מה אני מפספס?
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
מישהו יכול לאשר את זה?
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by שני ויצחקי שגיא
שני ויצחקי שגיא
ההסבר הוא כמו שכתבתי בשאלה הראשונה. מאחר והרעש התרמי מושפע משמעותית מערך ההתנגדות, אזי נגדי ערך גבוה יסבלו יותר מרעש תרמי.
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by שני ויצחקי שגיא
שני ויצחקי שגיא
נגד "ערך נמוך" מתגבר על הבעיה של רעש תרמי, משום שהדרכים להנמכת הרעש הן 1. הנמכת טמפ' (לא רלוונטי לסוג הנגד). 2. צמצום טווח תדרים. 3. הקטנת התנגדות. (נראה לי, תקנו אותי אם יש פה טעות).
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
אבל גם לפיוז יש ערך קריטי, לא? מעל זרם מסויים הוא נשרף.
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
האם קיימים סוגי רכיבים שלא יוצרים חום במהלך העברה של זרם משתנה?
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Michael Roznikovski
Michael Roznikovski
שתי התשובות שמכילות את הרצף com
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Michael Roznikovski
Michael Roznikovski
bead מזכיר bread, פרוסות
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
3
by Aviel Hermon
Aviel Hermon
התשובה varistor מופיעה כשגויה משום מה
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Aviel Hermon
Aviel Hermon
מי שכתב את השאלה יכול בבקשה להוסיף את התשובה שנועם ציינה?
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
למיטב הבנתי הגדלת Cox הולכת ביחד עם שליטה יותר טובה של הGATE בתעלה וזה אומר בעצם שיש הקטנה בIsub(הזרם בין הS ל D מתחת למתח הסף). לכן אני גם די בטוח שב' נכון.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
לגבי הזרם זליגה של הדיודה, זרם זליגה אחורי (מהסיכום של אדי) מתקיים בכל שטח הפנים של הדיודת PN והרי בכך ששמנו SOI אנו מקטינים משמעותית את שטח הפנים של הצומת הזו, ולכן לפי דעתי SOI באמת מקטין מאוד גם את הdiode leakage.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
אין דבר כזה זה טעות בשחזור
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
אחי למיטב ידיעתי בגלל שהPMOS נמצאים בין כה וכה בNWELL אז אני חושב שכול עוד PMOS נמצא בNWELL אחר מאשר PMOS אחר אתה יכול לשים מתח שונה במצעים של כול אחד מהם.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Adva Sharoni
Adva Sharoni
זמן ההשהייה מתארך ביחס למצב של הFIXED
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Idan Grave
Idan Grave
צפיפות ההספק גדלה בחזקה שלישית אם אין רווית מהירות, ברווית מהירות ההשפעה היא אכן ריבועית. אני גם לא יודע למה מסומן שזמן ההשהיה של השער מתארך.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
אני התכוונתי יענו 6T ולא 5T... (לא מצאתי זיכרון SRAM 6T)
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
SOI לא מקטין את הWdep?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by omer feldman
omer feldman
לא, בתא זכרון מסוג sram 6T לא מתבצעת פגיעה בערך התא כאשר אתה מבצע קריאה לעומת זאת בDRAM 1T כן יש פגיעה בערך התא הסבר בשקופית 98 בעמוד 93 במצגת של זכרונות
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by omer feldman
omer feldman
מישהו יכול לתת לזה הסבר או מקור מהרצאה?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
בכול מקרה זיהום יותר קטן אמור לגרום להגדלה של שכבת המחסור ולא להקטנה, אז באמת זו עוד סיבה למה LDD זו לא תשובה נכונה כאן.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
תודה רבה
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
S*log(whatyouwant) bais=10 50Log(1000)=150
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
3
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
ומה בנוגע לTdq? לא מצאתי את זה במיליון דפים של המצגות...
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
אולי לא קשור אבל... הכוונה לsram 6T נכון?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Slava Salnikov
Slava Salnikov
במצב הרגיל (כיוון דאטא וכיוון חיווט השעון מתלכדים) skew הוא חיובי. אם זה יוצר בעיות אפשר לחבר את השעון הפוך לדאטא, ואז זה יהפוך את המצב ויכול לפתור (מי שהיה בפיגור יהיה מוקדם יותר עכשיו)
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
הוא מקטין את אחד הרכיבים בזרם זליגה ולא פוגע באחרים אז לדעתי ב נכון
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Idan Grave
Idan Grave
בשאלה השניה התקבל שעמד בתנאי Hold ולא עמד בתנאי Setup, הפוך מהשאלה הזו.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
3
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
באחד כתוב שצריך להעלות מתח VDD ואז אולי הצ'יפ יעבוד וכאן כתוב שהצ'יפ לא יעבוד.. מה ההבדל בניהם?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yosi Ben Naim
Yosi Ben Naim
האם יש דבר כזה Deep PWell שבאמצעותו ניתן לחבר את המצעים של הPmos למתחים שונים?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Lishai Levi
Lishai Levi
מה הכוונה לחיבור חוטים לכיוון ההפוך? איך זה עוזר?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Idan Grave
Idan Grave
אבל בגלל שמדובר בתהליכים רציפים ואין גבול ברור בין שכבת המחסור של התעלה ושל הדיפוזיות, ובמיוחד בגלל שLDD נמצא על החיבור ביניהם, נראה לי סביר להניח שיש השפעה על שכבת המחסור של התעלה.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Idan Grave
Idan Grave
יש למישהו איזה רפרנס על הצורך בחישול ארוך?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Ahmad Krinawi
Ahmad Krinawi
מה הנוסחה פה ?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
לגבי תשובה ב' - זה מקטין gate leakage. לגבי שאר זליגות זה לא קשור לדעתי
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
איתן ממה שראיתי שרשום בסיכום של ההרצאות של אדי, בPMOS זה מקטין את VT ובNMOS זה מגדיל את VT.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
שתי התופעות יחד גם הpolysilicon depletion וגם channel DEpth גורמות לעלייה של הtox האפקטיבי ועל כן להקטנת Cox ועל כן להגדלת VT(זה לא קשור למה ששאלת איתן)
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Slava Salnikov
Slava Salnikov
מחיר DIE כן מקיים חוק מור לפי הקובץ שאלות תשובות של רוברט שיש בפייסבוק (טרנזיסטור בודד נהיה זול יותר לכן אפשר למכור אותו DIE בזול יותר/ לדחוף יותר טרנזיסטורים לאותו גודל DIE)
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Eitan Vaida
Eitan Vaida
איך HOT CARRIER מעלה?, זה לא תלוי בסוג המטען (אלקטרונים/חורים)?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Aviel Hermon
Aviel Hermon
צפיפות הספק גדלה בחזקה שלישית לדעתי וזרם סטורציה גדל פי S לפי המצגת, למה הכוונה "כפי שרצינו"?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Eitan Vaida
Eitan Vaida
איפה מדברים על "שתי וערב"?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
"ניתן לייצר את הדיפוזיות בצורה שהשער משמש כמחסום עבור קרן האלקטרונים כך שהדיפוזיות נבנות בצורה סימטרית סביבו. כלומר, הדיפוזיות הן self-aligned." הסבר של רוברט. גם דיפוזיות הן self aligned
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
אתה צודק זה ככול הנראה לא נכון, אדי חוזר ואומר בהרצאות שלו שהגדלת Cox רצויה בכדי שנוכל דווקא לשלוט על התעלה עם הGATE.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
שאלה 18948 מאמתת את עניין השדה האנכי
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Sahar Borafker
Sahar Borafker
יש שאלה כזו שבה רוחב התעלה לא מקיים את מור
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
אתה צודק, זו לא התשובה הנכונה. אני חשוב ששום דבר פה לא נכון
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
3
by Sahar Borafker
Sahar Borafker
זה נובע משדה אנכי ולא אופקי, למה זו התשובה הנכונה ?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by David Isakov
David Isakov
אני חושב שגם הGIDL לא אמור להיות נכון
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
שאומרים גובה החיווט הכוונה שלכם פה לגובה של החוט מעל המצע? או למימד פיזי של גובה החוט?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Idan Grave
Idan Grave
הקטנת השפעת הgate על התעלה? אנחנו דווקא רוצים לשלוט על התעלה עם הgate.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Dor Ben Lavy
Dor Ben Lavy
לדעתי אתה צודק באמת
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
שכנעת אותי, אז אולי הוא לא משפיע
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
זה זיהום בדיפוזיות. Wdep מדבר על המחסור באזור התעלה
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
למה קבלי צימוד ו IR DROP פוגעים ב SNM?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
צריך להיות רשום של Bridging (גישור)
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Yuval Peretz
Yuval Peretz
למה diode leakage לא נכון? לדעתי הזרם הזה אמור להיות קטן יותר בגלל שהמצע הוא מבודד
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
5
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
אם אתה מזהם עם זיהום "קל" יותר, אתה משפיע על רוחב המחסור. אני חושב שזה כן נכון
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yuval Peretz
Yuval Peretz
מה בנוגע לעומק הדיפוזיות ומחיר הdie? לפי הקובץ שחזורים נראה שגם הם לא מקיימים את חוק מור.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
זמן ההשהיה של השער מתארך - זמן ההשהייה קטן פי S.הוא אמנם קטן "פחות" מאשר בתעלה ארוכה אבל הוא עדיין קטן. ניסוח בעייתי
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
3
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
ההשפעה של הLDD על הWdep הוא זניח. לדעתי זה לא צריך להיות תשובה
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
אני חושב שהכוונה שזה מקשה על DRC למה זה עולה לי בLogic Swing?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
עמוד 55. רשום שההשהייה בFULL SCALING נשאר קבוע ובעצם עולה ביחס לtpd של הטרנזיסטור ולכן לא נקטין את הגובה
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
הגדלת עובי החוט מקטין את ההתנגדות (R=ro*L/WH) ובהקטנת ההתנגדות מפלי המתח קטנים
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
ב 3T יש זרמי זליגה (ולכן צריך לחדש כל כמה זמן את המידע) אבל קריאה אינה פוגעת במצב התא (אתה בודק האם M2 פתוח=שמור 1 לוגי)
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Sahar Borafker
Sahar Borafker
למה להעלות את עובי החוט יעזור לנו? זה לא יגיד את ההתנגדות ?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
מישהו יכול לפרט?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
ב-3T DRAM צריך לבצע refresh לזיכרון - למה זה נכון? לא פוגעים במידע ב3T DRAM
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
הכוונה ש tpd נשאר קבוע
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
מזעור גובה החיווט מקומי גורם לזמן השהיה לגדול - זה לא נכון, רשום בפירוש בשקופית 53 בהרצאה על חיווטים שזה נשאר קבוע
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
לדעתי א' קשור ל annealing בכלל ולא לself alignment.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
כדי לשפר הספק ממוצע כחלק מscaling לכל הטרנזיסטור - זה לא נכון
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
8
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
קטן פי S^2
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Adva Sharoni
Adva Sharoni
למה? בFULL הוא 1/s^2 (ממוזער) ובFIXED הוא S (גדל) אז התשובה נכונה
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Adva Sharoni
Adva Sharoni
לא, השניה מדברת על non recurrent שזה עלות חד פעמית בייצור הצ'יפ
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
3
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
ההספק בFULL גדל פי S^2
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
-1
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
מה הכוונה בזה שעולה לנו DESIGN RULES?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Ady Zafri
Ady Zafri
יש שתי שאלות כאלה אבל עם תשובות שונות יכול להיות? (בשנייה זה להשתמש בטכנולוגיה ישנה ולקצר את זמן הפיתוח??)
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
-2
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
כן זה נכון, הוא מושפע כי רוחב המחסור מושפע מטמפ'
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
לפי השחזור רוברט אמר שהזרם PUNCH גדל עם הטמפ. ומשהו על שכבות המחסור שגם מושפעות מהטמפ שמשפיע על הPUNCH
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yotam Schultz
Yotam Schultz
קיבלתי. שונה
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
שקופית 74 בהרצאה על התופעות של הטרנזיסטור: LDD, Implants, Retrograde Doping הם פתרונות ל punchthrough
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
3
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
גודל הdie לא מקיים את חוק מור
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
למה punchthrough מושפע מטמפ'?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
מההרצאה: This is known as IR Drop. This causes both noise, as well as lower speed and noise margins. לדעתי זמנים נמוכים יותר זה לא נכון. אם כבר זמנים ארוכים יותר בגלל lower speed
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
3
by Amit Bernstein
Amit Bernstein
אני מניח ש channel depletion = channel depth (ככה הוא קרא לזה בהרצאה) שווה לשנות את זה
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0

QuizMe 2019 © כל הזכויות שמורות. כן, כולן.

מתארחים בגאווה בשרתי Pixis