search
by Eden Palensia
Eden Palensia
ככל שיש יותר שורות יש יותר קיבול על BL ו- BLB כי הם משותפים לכל השורות. אני חושב שקיבול גדול יגרום לזיהוי ארוך יותר כי יקח זמן לקיבול להתפרק.
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Or Schlosberg
Or Schlosberg
תימור אמר שהוא לימד embedded אז לא רלוונטי
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Gal Josman
Gal Josman
ההסבר הוא, שretrograde doping זה דרך לזהם את המצע כך שקרוב לשער הזיהום גבוה וככל שמתרחקים הזיהום נחלש. ולכן זה עוזר נגד punchthrogh (תימור אמר לנו שזה הדבר היחיד שזה עוזר בו)
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Eden Palensia
Eden Palensia
לא מצאתי שכתוב משהו על ESD במצגות אז אפשר להשתמש בזה: (ESD - ElectroStatic Discharge) https://en.wikipedia.org/wiki/Electrostatic_discharge ואם הבנתי נכון הכוונה להגנה מפני פריקה של חשמל סטטי שעלולה לפגוע בצ'יפ.
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Peleg Shay
Peleg Shay
pipeline נכון או לא?
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Yuval Tevet
Yuval Tevet
אני חושב שבגלל שבזיכרון דינאמי יש פחות טרנזיסטורים אז יש פחות זרמי זליגה. בדינאמי צריך להטעין מחדש את הקבל לא בגלל שיש יותר זליגות אלא בגלל שהוא לא מקבל תמיד ממתח כמו הSRAM.
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Or Schlosberg
Or Schlosberg
לפי תימור רק 4 נכון
לפני שבוע
VLSI
VLSI
6
by Peleg Shay
Peleg Shay
למה הקטנת כמות שורות תעזור בהשהייה?
לפני שבוע
VLSI
VLSI
1
by Gal Josman
Gal Josman
אז בשורה התחתונה, כל התשובות נכונות?
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Ziv Shalev
Ziv Shalev
כנראה שהכוונה לDRAM 3T
לפני שבוע
VLSI
VLSI
1
by Oded Schwartz
Oded Schwartz
מישהו יודע מה זה Gain Cell? באיזה הרצאה זה הוזכר?
לפני שבוע
VLSI
VLSI
1
by Yoav Levy
Yoav Levy
גרוע
לפני שבוע
VLSI
VLSI
-2
by Eden Palensia
Eden Palensia
עקרונית הוא לא בנוי מ-CMOS ולכן זה מצריך תהליך מיוחד לדעתי (אני חושב ש-CMOS הוא יצור סטנדרטי של רכיב).
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Ido Seeman
Ido Seeman
 NOR architectures are large, but fast. » Actually, NOR is fast for READs, but slow for WRITEs and ERASEs, as they need precise control over threshold voltages. » NORs are used for applications such as program code storage that are read a lot and at high speeds.  NAND architectures are slow, but small
לפני שבוע
VLSI
VLSI
1
by Ido Seeman
Ido Seeman
חוק ה-Hold
לפני שבוע
VLSI
VLSI
-2
by Daniel Stopel
Daniel Stopel
התבלבלתי בניסוח שואל למה זה לא לא נכון
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Daniel Stopel
Daniel Stopel
איך Less bitcell leakage זה לא נכון? הרי בזיכרון דינאמי יש לי קבל שזולג יותר.
לפני שבוע
VLSI
VLSI
0
by Oded Schwartz
Oded Schwartz
מישהו יודע למה זה מצריך תהליך ייצור מיוחד?
לפני שבועיים
VLSI
VLSI
0
by Oded Schwartz
Oded Schwartz
השאלה לא מוגדרת כל כך... NOR מהיר יותר בקריאה מאשר NAND אבל איטי יותר בכתיבה.
לפני שבועיים
VLSI
VLSI
1
by Segev Portman
Segev Portman
Tantulum זה תשובה נכונה?
לפני 9 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Johnny Dekel
Johnny Dekel
הפוך סורי
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Johnny Dekel
Johnny Dekel
NOTAN
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Johnny Dekel
Johnny Dekel
Meshamesh Lekizuz Celsius be Circuit
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Johnny Dekel
Johnny Dekel
אתם איתנו בתחרות  Professional Car Battle והרי התוצאות: במקום הראשון הגיע 488 FeRrari מיד אחריו הגיע במקום השני Lamborghini Terzo ובמקום השלישי והמכובד הגיע Honda Talon
לפני 10 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Danielle Shekel
Danielle Shekel
גונסון מה את עף על עצמך- לך תתקרר ותפסיק להתנגד
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Danielle Shekel
Danielle Shekel
carbon זה פחמן, כמו פחמן דו חמצני שמתפזר מהר
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Dvir Atar
Dvir Atar
לפי 2014C, לMLCC אין מצע קרמי
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Oded Schwartz
Oded Schwartz
אין לי הסבר, אבל LC זה קיצור של "ללא קרמיקה"
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Netanel Hadad
Netanel Hadad
אלקטרוליט= חומר עם יונים חופשיים maganese= למגנזיום יש הרבה יונים חופשיים polymer= כמו פוליגמיה, ריבוי של יונים חופשיים acid= עושה לך יונים חופשיים במוח
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Snir Shemla
Snir Shemla
וכנל גם עבור Metal-strip resistor. אפשר הסבר לתשובות?
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Snir Shemla
Snir Shemla
למה MLCC נכון? הרי יש MLCC עם מצע SMD
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Snir Shemla
Snir Shemla
אם מתיחסים בשאלה לקשר בין C ל L במודל, אז התשובות נכונות. במקרה של סליל (לא משנה איזה Q) תמיד הקבל והסליל במודל יהיו במקביל.
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Snir Shemla
Snir Shemla
תוספת של 25% מהזרם, הנתיח ישרף לאחר לא פחות משעה. תוספת של 100% מהזרם, הנתיח ישרף אחרי פחות מ2 דק׳. בזרם שרשום על הנתיח, הנתיח יעבוד לנצח. נלקח מהסיכום שנמצא באתר של הקורס.
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Snir Shemla
Snir Shemla
אני חושב שזה בלל שזה excess noise, שהוא למעשה רעש ורוד וקשור לפעולה רציפה של הרכיב. קירור הנגד מתקשר לרעש טרמי ולכן זו לא נכונה.
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Dor Shoshani
Dor Shoshani
z זה עכבה thick עבה /שמן - מתעכב
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
7
by Dor Shoshani
Dor Shoshani
יש סרט בשם absorption https://www.imdb.com/title/tt4852810/ סרט=film
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
3
by Dima Miroshnikov
Dima Miroshnikov
ב2019 מועד ב' לעשות pipeline היא תשובה נכונה.
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Snir Shemla
Snir Shemla
באחת המחברות שיש בדרופ בוקס, עמוד 22, מסביר שם על הגרף הזה. כשההצנגדות נמוכה, הסלילים (במודל הנגד) הם הדומיננטיים יותר ולכן התנהגות כמו HPF, כאשר הנגד גבוהה, הקבלים נהיים יותר דומיננטיים ולכן מתנהג כמו LPF.
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
3
by Nitzan Tzahar
Nitzan Tzahar
אני חושב שיש פה טעות, במצגות של תימור יש בסוף רשימה של secondary effects, שם מופיע hot carriers, וsurface scattering אבל לא punchthrough. כן DLL פותר את punchthrough אבל שאלו פה על secondary effects
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Yuri Lavi Boltaks
Yuri Lavi Boltaks
נראה לי שהכוונה פה היא על התנגדות הדיפוזיות. באחת ההרצאות כתוב שכשהתעסקו עם תעלה ארוכה אז התנגדות טורית של הדיפוזיות הייתה זניחה, אבל לאחר שהתחילו למזער, והתעלה התקצרה משמעותית, ההתנגדות הטורית של הדיפוזיות גם נהייתה משמעותית. אורך התעלה מושפע מחוק דנארד, ולכן משפיע גם על התנגדות טורית
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Nitzan Tzahar
Nitzan Tzahar
נרצה בטמפ' נמוכה לבדוק מצב fast ובטמפ' גבוהה לבדוק slow
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Naor Dahan
Naor Dahan
לפי המצגות אמור להיות Gate Dielectric Variation במקום Gate Dielectric Functuation ולא מופיע שום דבר בשם Rapid thermal Aneal אולי הכוונה לRandom Dopant Fluctuation (RDF) ואז זה גם נכון
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
2
by Nitzan Tzahar
Nitzan Tzahar
אני חושב שתשובה ב של העלויות וייצור הgate אמורה להתחלק ל2, לא? בכל מקרה צריך לסדר קצת את התשובה
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Nitzan Tzahar
Nitzan Tzahar
לsubthreshold עוזר shallow diffusions, לא LDD
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Nitzan Tzahar
Nitzan Tzahar
התשובה הנכונה אומרת שfull custom design משפר ביצועים אבל התשובה שfull custom design מבטיח ביצועים טובים יותר מstandart cell לא נכונה. זה לא נוגד אחד את השני?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
1
by Slava Salnikov
Slava Salnikov
מהערך בויקיפדיה sulphuric acid קיים רק ב NON SOLID .. כך שלדעתי זו טעות
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Sofia Aizenshtein
Sofia Aizenshtein
התשובות שמסומנות נכונות
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
2
by Rony Engel
Rony Engel
וואו ממש מדויק! WMM
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
4
by Ori Muttath
Ori Muttath
גם כאן לפי תשובה מהמרצה: בשאלה הזאת, בניסוח הזה גם Sulfuric acid אם תופיע היא תשובה נכונה
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
5
by Ori Muttath
Ori Muttath
cosmopolitan מגזין של נשים
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
6
by Ori Muttath
Ori Muttath
לפי תשובה מהמרצה: בשאלה הזאת, בניסוח הזה גם Sulfuric acid ו-Conductive polymer
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
2
by Ori Muttath
Ori Muttath
כל ה-um חוץ מפלדיום
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
3
by Ori Muttath
Ori Muttath
לפי סדר אותיות אמצעיות: ה -> ו -> ס
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Slava Salnikov
Slava Salnikov
nickelback, back כמו ב "לך אחורה, אתה חסום"
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Slava Salnikov
Slava Salnikov
https://en.wikipedia.org/wiki/Electrolytic_capacitor יש שם טבלה שיש בה את 3 התשובות הנ"ל בעמודת "אלקטרוליט"
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
מוזר כי כתוב בשאלה רכיבים- ועד עכשיו שהיה כתוב רכיבים היתה יותר מתשובה אחת נכונה
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
למישו יש מושג?
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
חחחח חזק
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Slava Salnikov
Slava Salnikov
TantAlumiNiobium
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Slava Salnikov
Slava Salnikov
Carbon comPULSition
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
4
by Shachar Mor
Shachar Mor
foil=רדיד. מקדם תרמי הכי נמוך, רדוד
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
10
by Omer Bonen
Omer Bonen
למה WSL1206 לא תשובה נכונה? ממה שראיתי בדפי מידע הוא יכול לפזר עד 0.25W
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
השני הכי גדול זה 511 אוהם? יעני לפי גודל ההתנגדות נקבעת כמות הרעש התרמי?
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
-1
by Shachar Mor
Shachar Mor
אם כתוב על הנתיך 1A אז זה אומר שעבור זרם גדול יותר, הנתיך ישרף (עבור זרם של 1A ומטה הוא לא ישרף לעולם)
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
2
by Dvir Atar
Dvir Atar
למה אוקסידים בצדדים? זה לא מזהמים (LDD)?
לפני 11 חודשים
VLSI
VLSI
0
by Shachar Mor
Shachar Mor
בגלל זה מכניסים נייר אלומיניום לתנור
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
9
by Shachar Mor
Shachar Mor
1.1k זה הנגד הכי גדול כאן
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
5
by Moshe Dahan
Moshe Dahan
M M WW
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
2
by Moshe Dahan
Moshe Dahan
M M WW
לפני 11 חודשים
חשמל
פסיביים
1
by Naor Dahan
Naor Dahan
בגדול הוא אמר בהרצאה שכל פולימר הוא לא מתאים
לפני שנה
חשמל
פסיביים
1
by Amiram Lifshitz
Amiram Lifshitz
צודק, טעות שלי. תודה
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Tomer Malach
Tomer Malach
אני דווקא לא חושב שזה נכון, המטען הוא שלילי ולכן Q/C תורם גודל חיובי לVT, מה שגורר כי הגדלה של COX מקטינה את VT. חוצמזה יש את הנושא של מחלק הקבלים בין קבל המחסור לקבל התחמוצת, כשקבל התחמוצת קטן אז אין מפל מתח על התעלה ויותר קשה להפעיל שם VT האמיתי
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Dor Livne
Dor Livne
לפי מה שאני מבין, לפי חוק דנארד(full scaling) ההתנגדות נשארת קבועה. למה זה נכון שהוא משפיע על ההתנגדות הטורית?
לפני שנה
VLSI
VLSI
2
by Tomer Malach
Tomer Malach
לפי ההרצאות הכתיבה והמחיקה בNOR איטיים לעומת NAND, והוא גם יותר גדול ביחס לNAND
לפני שנה
VLSI
VLSI
2
by אליהו אביטן
אליהו אביטן
הtpd משתפר אבל לא נראלי שזה חלק מהSCALING
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Amiram Lifshitz
Amiram Lifshitz
בNOR הכתיבה מהירה יותר לפי ההרצאות
לפני שנה
VLSI
VLSI
-1
by Omer Bonen
Omer Bonen
מישהו הבין למה בודקים את SS?
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Or Berebi
Or Berebi
2019 סמסטר ב': נראה שיש הסכמה על כך שהגדלת Cox מגדילה את Vt0 לפי הנוסחא במצגת 3 עמוד 26
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Or Berebi
Or Berebi
2019 סימסטר ב: טימור כתב במודל שלא קיימת תופעת diode leakage בכלל ב SOI כי אין דיודות. אז נראלי שזה אומר ש SOI מונע diode leakage, לכן זו צריכה להיות תשובה שמסמנים
לפני שנה
VLSI
VLSI
6
by Or Berebi
Or Berebi
2019 סמסטר ב: כשטימור נשאל לנושא במודל, הוא לא ציין כי הגדלת כמות זכרון על צ'יפ עומדת בחוק מור
לפני שנה
VLSI
VLSI
2
by Amit Biran
Amit Biran
סןף הרצאה 3
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Shachar Mor
Shachar Mor
לפי תימור נראה לי שהtpd משתפר
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Amit Biran
Amit Biran
מסכים איתך לפי הרצאה 4 Cg תלוי לינארית ב Cox. לדעתי יש פה טעות
לפני שנה
VLSI
VLSI
-2
by Refael Shetrit
Refael Shetrit
למה זה לא משפיע על הchannel delay? tpd = R*Cg לא?
לפני שנה
VLSI
VLSI
-2
by Dor Livne
Dor Livne
tpd פרופורציונלי לRC וR פרופורציונלי ל V אז אם נגדיל את V נגדיל את הtpd ולכן נקטין את התדר וזה יסדר את האי שיוויון של Tsetup(הרצאה 7 עמוד 57)
לפני שנה
VLSI
VLSI
2
by Adir Bracha
Adir Bracha
מישהו יודע למה הגדלת cox מקטינה את vt0 ? ואת tpd?
לפני שנה
VLSI
VLSI
1
by Shiray Kachlon
Shiray Kachlon
בדיוק ראיתי את ההרצאה הוא אמר שיש בו משוב שלילי (די הגיוני כי מדובר במגבר דיפרנציאלי), בנוסף יש שם ראי זרם שיכול לתפקד כמקור זרם גם את הVDD הוא הסביר כשיטה להתמודד עם ההספק הדינמי אבל העניין עם ההספק הסטאטי לא מובן גם לי ..
לפני שנה
VLSI
VLSI
1
by Refael Shetrit
Refael Shetrit
מישהו יכול לתת לזה הסבר או מקור מהרצאה? שואל שוב כי לא ענו לו
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Idan Weingarten
Idan Weingarten
לדעתי הכוונה בdata זה הTlogic, אז אם תעכב אותו הוא יגיע אחרי שהhold יסיים, שזה טוב
לפני שנה
VLSI
VLSI
4
by Omer Bonen
Omer Bonen
אני רואה שמימוש של FF בתצורת TSPC היא בכלל שימוש ב8 טרנז'- בכל מהפך מורחב יש 4 טרנז'. ובנוסף ישנם קבלים ביציאה מכל מהפך מורחב כזה שעליהם נשמר המטען.
לפני שנה
VLSI
VLSI
-1
by Shachar Mor
Shachar Mor
למה pipeline זה לא נכון? לא מקטינים את המחזור?
לפני שנה
VLSI
VLSI
2
by Omer Bonen
Omer Bonen
כן אני מבין מה זה הולד... אבל מה הקשר לשים דיליי לDATA? יעני- דיליי לDATA ייתן עוד מרווח לT_HOLD- כי עכשיו במקום שנקבל את הDATA והשעון ביחד נקבל את הDATA אחרי?
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Keren Gener
Keren Gener
HOLD זה כמות הזמן שהמידע נשמר עד שהוא עובר הלאה ומתחלף.. דיברו על זה בהרצאות בהגדרה של HOLD. לא תרצה שזה יידחף מהר מידי
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
למה הראשון נכון?
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
מסכים איתך.. LDD מקטין גם את SUBTHRESHOLD שכן מגדיל את ההתנגדות (לא בהרבה כי זה זיהום קטן) ליד הדיפוזיות.
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
מסכים איתך... גמני לא ראיתי את זה בשום מקום אחר.
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
זה לא נכון מה שאמרתי- בדיוק הפוך- הVT0 גדל. לא מבין איך זה גורר השפעת GATE על התעלה
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
מוזר- כי במבנה זה- טרנז' M5- מופעל ע"י לוגיקה חיצונית ובדיוק תפקידו הוא למנוע זליגת הספק סטטי! הוא ממש אמר את זה בהרצאה. גם אין בו משוב. יש מצב הוא התכוון לCLOCKED SENSE AMP? כי שם יש גם משוב, גם VDD/2 ןגם הטרנז' הנמוך פתוח כל עוד CLK=1.
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Amit Biran
Amit Biran
איפה הוא מדבר על ההשפעות של זה על כל התופעות? בהרצאה שלוש הוא מציין את זה רק עבור Punchthrough
לפני שנה
VLSI
VLSI
0
by Omer Bonen
Omer Bonen
איזו שאלה הזויה...
לפני שנה
VLSI
VLSI
2

QuizMe 2020 © כל הזכויות שמורות. כן, כולן.

מתארחים בגאווה בשרתי Pixis